即0.15-0.5MHz 差模干擾為主;
0.5-5MHz 差、共模干擾共存;
5-30MHz 共模干擾為主。
重點(diǎn)注意的是,濾波器件應該遠離變壓器、散熱器,否則很容易跳過(guò)濾波電路,直接耦合到L,N線(xiàn)導致EMI超標。
1.增大 X 電容量;
2.添加差模電感;
3.小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1.對于差模干擾超標可調整 X 電容量,添加差模電感器,調差模電感量;
2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;
3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理例如:快速二極管如 FR107 用普通整流二極管 1N4007來(lái)代替。
1.對于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞 2-3 圈會(huì )對 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;
2.可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán),然后通過(guò)一條線(xiàn)連接到原邊的參考地。
3.處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電解并聯(lián)電容的大小。
四.20-30MHZ,(整改建議)
1.對于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調整對地 Y2 電容量或改變 Y2 電容位置;
2.調整一二次側間的 Y1 電容位置及電容量;
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調整變壓器的各繞組的排布。
1.增加原邊MOS管的驅動(dòng)電阻,MOS管D,S之間并10-100pF的高壓瓷片電容(或RC電路)。對大功率電源MOS管D極串引線(xiàn)或貼片磁珠。
2.RCD的緩沖電路采用慢管,RCD的二極管串聯(lián)10-100Ω的電阻。
3.VCC供電的二極管用慢管。
4.調整一二次側間的 Y1 電容位置及電容量;
5.減小原邊功率環(huán)(即MOS管,變壓器,大電解回路的)的面積。
6.對單路大電流輸出的適配器等,輸出電解后加雙線(xiàn)并繞的共模電感,圈數盡量大于3圈。
1.減小副邊功率環(huán)(即二極管,變壓器,輸出電解回路的)的面積。對大功率電源二極管正極可以串引線(xiàn)或貼片磁珠。
2.輸出電解可以采用PI型濾波(靠近二極管的電容,容值稍大)。
3.對單路大電流輸出的適配器等,輸出電解后加雙線(xiàn)并繞的共模電感,圈數盡量大于3圈。
4.調整輸出二極管并聯(lián)的RC吸收的參數。
EMI盡量將有高頻電流流過(guò)的銅箔做在線(xiàn)路板內側,將流過(guò)直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側,高頻大電流銅箔盡量短,用EMC的儀器測試都沒(méi)有什么問(wèn)題,當然低端的用Pai型濾波就可以,20W以上則要變壓器屏敝+共模電感,當有Y電容時(shí),后級紋波的大小對EMI影響較大;另外變壓器用銅箔屏敝比繞線(xiàn)效果要好很多,成本也低。反饋電路有諧振時(shí)EMI也很難過(guò),特別是從變壓器中出來(lái)的一串串高頻尖峰電壓,會(huì )使該頻段的MEI數值上升10甚至20DB以上,這在恒流開(kāi)關(guān)電源中比較常見(jiàn)。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少,就是很難的問(wèn)題,共模濾波部分跟初級怎樣布局,大電解電容怎樣放置,散熱器器怎么做,接地應該怎么樣接,都需要考慮,X電容與Y電容的排法,都很有講究。比如:共模電感下面不要走初級的任何銅線(xiàn),但濾波電路可以通過(guò),如果有PFC電感,這個(gè)電感離共模電感要遠,而且這個(gè)電感下面最好不要放置控制IC,特別是CRM模式的PFC。